[发明专利]电路基板测量线路偏移量的方法及构造有效
申请号: | 200910197965.3 | 申请日: | 2009-10-30 |
公开(公告)号: | CN102054719A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 卢昊旻;汪高峰;陈阳;欧宪勋;罗光淋 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/48;H01L23/544;G01R31/02;G01B7/02 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种电路基板测量线路偏移量的方法及构造,其分别利用在Y轴、X轴方向刻意偏移排列的数个钻孔搭配数对第一检测用线路及一对第二检测用线路来进行电性测量,以取得所述第一及第二检测用线路分别被所述钻孔钻断的断路位置,再通过断路位置来换算得到所述第一及第二检测用线路在Y轴、X轴方向的实际线路偏移量,因而推知掩膜曝光形成线路图案时的曝光偏移量,因而有利于提高线路偏移量的测量效率及测量精确度。 | ||
搜索关键词: | 路基 测量 线路 偏移 方法 构造 | ||
【主权项】:
一种电路基板测量线路偏移量的方法,其特征在于:所述方法包含:沿一基板条的Y轴方向钻凿数个钻孔,其包含一基准孔、数个正向偏移孔及数个负向偏移孔,其中所述数个正向偏移孔以所述基准孔为基准以累加的Y轴正向偏移量排列在所述基准孔一侧,及所述数个负向偏移孔以所述基准孔为基准以累加的Y轴负向偏移量排列在所述基准孔另一侧;在所述基板条上形成一第一检测线路区,其中所述第一检测线路区具有数对第一检测用线路沿所述基板条的X轴方向延伸设置,且每一对所述第一检测用线路皆对应于所述钻孔的其中一个;电性测量判断每一对所述第一检测用线路是否受到对应的所述钻孔钻断而形成断路位置;及依据所述断路位置换算得到所述第一检测用线路在所述基板条的Y轴方向上的线路偏移量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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