[发明专利]一种SOI级联双管MOS晶体管结构

摘要

本发明提供了一种SOI级联双管MOS晶体管结构，通过将基于SOI的MOS晶体管栅极分裂成对称或非对称的主栅和从栅，并在主栅、从栅之间的区域与MOS晶体管的源、漏区进行同步、同类型的离子注入，从而形成由主MOS晶体管和从MOS晶体管功能级联的SOI级联双管MOS晶体管结构，该结构使得靠近漏端的从MOS晶体管承受由热载流子效应引起的全部浮体效应，从而有效抑制了主MOS晶体管中的浮体效应，使得整体的SOI级联双管MOS晶体管结构不受浮体效应的影响，避免了阈值电压的降低和深饱和区电流的突然增大，进一步保证了较高的击穿电压和欧拉电压，保障了器件和电路性能，以满足特定电路的特殊需要。

主权项

一种SOI级联双管MOS晶体管结构，包括位于SOI衬底顶层硅中的源区和漏区，所述源区和漏区之间位于SOI顶层硅表面的栅氧化层以及位于所述栅氧化层表面的多晶硅栅，其特征在于，所述多晶硅栅由主栅和从栅组成，所述主栅靠近所述源区，所述从栅靠近所述漏区，且所述主栅和从栅之间有一间隔，在所述间隔位置具有与所述源区和漏区同步离子注入形成的第三掺杂区域。