[发明专利]检测光罩的方法及利用其减少半导体产品返工率的方法有效
申请号: | 200910195834.1 | 申请日: | 2009-09-17 |
公开(公告)号: | CN102023472A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 孙林林;朱晓峥;严轶博;毛晓明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/00;H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供检测光罩的方法及减少半导体产品返工率的方法。通过检测所述光罩上是否具有超出规格的粉尘颗粒;将其上具有超出规格的粉尘颗粒的光罩的图案转印到白控片;判断超出规格的粉尘颗粒在所述白控片上是否有成像,如果有成像,则所述光罩会影响良率,如果未成像,则所述光罩不影响良率。本发明解决了通过大量的半导体产品返工来检测光罩是否会影响良率的问题,可精确判断所述光是否会影响产品良率,以及判断半导体产品是否需要返工,从而减少不必要的返工。 | ||
搜索关键词: | 检测 方法 利用 减少 半导体 产品 返工 | ||
【主权项】:
检测光罩的方法,包括:检测所述光罩上是否具有超出规格的粉尘颗粒;将其上具有超出规格的粉尘颗粒的光罩的图案转印到白控片;判断超出规格的粉尘颗粒在所述白控片上是否有成像,如果有成像,则所述光罩会影响良率,如果未成像,则所述光罩不影响良率。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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