[发明专利]电感元件及其形成方法无效
申请号: | 200910195619.1 | 申请日: | 2009-09-07 |
公开(公告)号: | CN102013410A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 张雄 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/768;H01L27/02;H01L23/522 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种电感元件及其形成方法,其中电感元件包括:衬底;形成在所述衬底表面的第一金属线阵列;形成在衬底表面并覆盖所述第一金属线阵列的介质层;形成在介质层内并连接所述第一金属线阵列的金属线起始端的第一插塞和连接所述第一金属线阵列的金属线结束端的第二插塞;形成在介质层表面的第二金属线阵列,且所述第二金属线阵列中的第k条金属线导通所述连接第一金属线阵列中第h条金属线起始端的第一插塞和第h+1条金属线结束端的第二插塞;所述第二金属线阵列中的第k+1条金属线导通所述连接第一金属线阵列中第h+1条金属线起始端的第一插塞和第h+2条金属线结束端的第二插塞;k和h为自然数。本发明减少电感元件占用衬底的表面积。 | ||
搜索关键词: | 电感 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种电感元件的形成方法,其特征在于,包括如下步骤:提供衬底;在所述衬底表面形成第一金属线阵列,所述第一金属线阵列包含n条金属线,n为大于2的自然数,且n条金属线不相交;在所述衬底表面形成覆盖所述第一金属线阵列的介质层;刻蚀所述介质层,形成暴露出所述第一金属线阵列的金属线起始端的接触孔和暴露出所述第一金属线阵列的金属线结束端的接触孔;用导电物质填充所述接触孔,形成连接第一金属线阵列的金属线起始端的第一插塞和连接所述第一金属线阵列的金属线结束端的第二插塞;在所述介质层表面形成第二金属线阵列,所述第二金属线阵列包含m条金属线且m条金属线不相交,且所述第二金属线阵列中的第k条金属线导通所述连接第一金属线阵列中第h条金属线起始端的第一插塞和第h+1条金属线结束端的第二插塞;所述第二金属线阵列中的第k+1条金属线导通所述连接第一金属线阵列中第h+1条金属线起始端的第一插塞和第h+2条金属线结束端的第二插塞;其中m、k和h为自然数,且m为大于2的自然数,k小于m,h小于n。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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