[发明专利]减小光刻胶图案特征尺寸的方法有效
| 申请号： | 200910195191.0 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102012644A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 罗飞;邹立 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种减小光刻胶图案特征尺寸的方法，包括以下步骤：步骤一，提供具有衬底层的晶圆，在衬底层上形成光刻胶图案；步骤二，采用第一气体，对第一气体施加微波流生成等离子体，顺流刻蚀晶圆，减小光刻胶图案的特征尺寸。本发明具有如下优点：采用微波流生成等离子体，能够对晶圆进行各向同性刻蚀，这使得光刻胶图案的特征尺寸在减小时，光刻胶图案的有效高度削弱较少，确保后续工艺中光刻胶能够对下层提供比较好的保护，保证产品的品质。一般，可以利用去胶室的微波流进行刻蚀，而去胶室是一种造价便宜的设备，提高该设备的利用率能够降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 光刻 图案 特征 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
一种减小光刻胶图案特征尺寸的方法，包括以下步骤：步骤一，提供具有衬底层的晶圆，在衬底层上形成光刻胶图案；步骤二，采用第一气体，对第一气体施加微波流生成等离子体，顺流刻蚀晶圆，减小光刻胶图案的特征尺寸。
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