[发明专利]减小光刻胶图案特征尺寸的方法

权利要求书

1.一种减小光刻胶图案特征尺寸的方法，包括以下步骤：步骤一，提供具有衬底层的晶圆，在衬底层上形成光刻胶图案；步骤二，采用第一气体，对第一气体施加微波流生成等离子体，顺流刻蚀晶圆，减小光刻胶图案的特征尺寸。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中，在衬底层与光刻胶图案之间还形成底部抗反射层，并且步骤二之后还实施步骤三：采用第二气体干法刻蚀晶圆，去除暴露的底部抗反射层。

3.根据权利要求1或者2所述的方法，其特征在于：所述第二步骤在去胶室中进行。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述第一气体为O₂、H₂、N₂、CF₄的混合气体或者O₂、H₂、N₂、CO的混合气体。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：第二步骤的工艺参数为，O₂流量500～1000sccm、H₂流量200～300sccm、N₂流量250～400sccm、CF₄流量5～20sccm，微波流频率2.45GHz、微波流功率1500～3000W，去胶室压力1～3Torr，晶圆温度250～300℃。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述第三步骤在反应离子刻蚀设备中进行。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述第二气体为O₂、H₂、N₂、CF₄的混合气体。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：第三步骤的工艺参数为反应离子刻蚀设备压力0.1～0.3Torr，O₂流量100～200sccm，H₂流量150～200sccm、N₂流量100～150sccm、CF₄流量40～80sccm，射频频率13.56MHz、射频功率200～300W，晶圆温度250～300℃。