[发明专利]碳纳米管散热器的制备装置及方法有效
申请号: | 200910189820.9 | 申请日: | 2009-08-25 |
公开(公告)号: | CN101996890A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 姚湲;戴风伟;姜开利;刘长洪;刘亮 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;B82B3/00;H01L23/373;H05K7/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种制备碳纳米管散热器的方法,其包括以下步骤:提供一基板;于所述基板上沿同一方向生长若干第一碳纳米管及若干第二碳纳米管,其中第一碳纳米管的自由端与第二碳纳米管的自由端具有一高度差;提供一第一基底及一第二基底,将距离基板较远的第一碳纳米管的自由端固定于所述第一基底中;将自由端固定于第一基底中的第一碳纳米管从基板上去除,使其独立地形成于所述第一基底上从而得到一第一碳纳米管散热器;将第二碳纳米管的自由端固定于所述第二基底中;将自由端固定于第二基底中的第二碳纳米管从基板上去除,使其独立地形成于所述第二基底上从而得到一第二碳纳米管散热器。 | ||
搜索关键词: | 纳米 散热器 制备 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种碳纳米管散热器的制备装置,其包括一基板,该基板具有一表面,其特征在于,该基板的表面上形成有若干第一碳纳米管及若干第二碳纳米管,所述第一及第二碳纳米管均自基板朝同一生长方向生长,所述第一碳纳米管的自由端与第二碳纳米管的自由端之间具有一高度差。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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