[发明专利]碳纳米管散热器的制备装置及方法

权利要求书

1.一种碳纳米管散热器的制备装置，其包括一基板，该基板具有一表面，其特征在于，该基板的表面上形成有若干第一碳纳米管及若干第二碳纳米管，所述第一及第二碳纳米管均自基板朝同一生长方向生长，所述第一碳纳米管的自由端与第二碳纳米管的自由端之间具有一高度差。

2.如权利要求1所述的碳纳米管散热器的制备装置，其特征在于，所述基板的所述表面上设有多个凹槽，该凹槽具有一底面，所述若干第一碳纳米管生长于所述基板的所述表面上，所述第二碳纳米管生长于所述凹槽的底面内。

3.如权利要求2所述的碳纳米管散热器的制备装置，其特征在于，所述多个凹槽中的每一凹槽为N层凹槽，其中N大于等于1。

4.如权利要求3所述的碳纳米管散热器的制备装置，其特征在于，所述N大于等于2时，所述第二碳纳米管包括多个高度不同的碳纳米管。

5.如权利要求3所述的碳纳米管散热器的制备装置，其特征在于，所述每一凹槽内同一层凹槽的底面到所述基板的表面的距离相等。

6.如权利要求1或2所述的碳纳米管散热器的制备装置，其特征在于，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管的长度相同。

7.如权利要求1或2所述的碳纳米管散热器的制备装置，其特征在于，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管均超出所述基板的表面。

8.一种碳纳米管散热器的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基板；

于所述基板上沿同一方向生长若干第一碳纳米管及若干第二碳纳米管，其中第一碳纳米管的自由端与第二碳纳米管的自由端具有一高度差；

提供一第一基底及一第二基底，将距离基板较远的第一碳纳米管的自由端固定于所述第一基底中；

将自由端固定于第一基底中的第一碳纳米管从基板上去除，使其独立地形成于所述第一基底上从而得到一第一碳纳米管散热器；

将第二碳纳米管的自由端固定于所述第二基底中；

将自由端固定于第二基底中的第二碳纳米管从基板上去除，使其独立地形成于所述第二基底上从而得到一第二碳纳米管散热器。

9.如权利要求8所述的碳纳米管散热器的制备方法，其特征在于，所述提供一基板的步骤后还进一步包括在所述基板的一表面开设凹槽的步骤，并在基板的所述表面上生长所述若干第一碳纳米管，以及在凹槽的底面内生长所述若干第二碳纳米管。

10.如权利要求9所述的碳纳米管散热器的制备方法，其特征在于，所述凹槽为N层凹槽，其中N大于等于1。

11.如权利要求8所述的碳纳米管散热器的制备方法，其特征在于，所述基底的厚度为0.1毫米～1厘米。

12.如权利要求8所述的碳纳米管散热器的制备方法，其特征在于，所述将距离基板较远的第一碳纳米管的自由端固定于所述第一基底中的方法包括以下步骤：将第一碳纳米管的自由端浸入一熔融态的第一基底材料中；固化该第一基底材料；所述将距离第二基底较近的第二碳纳米管的自由端固定于所述第二基底中的方法包括以下步骤：将第二碳纳米管的自由端浸入一熔融态的第二基底材料中；固化该第二基底材料。

13.如权利要求8所述的碳纳米管散热器的制备方法，其特征在于，所述第一基底材料包括聚合物相变材料或低熔点金属材料；所述第二基底材料包括聚合物相变材料或低熔点金属材料。

14.如权利要求8所述的碳纳米管散热器的制备方法，其特征在于，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管均超出所述基板的表面。

15.如权利要求8所述的碳纳米管散热器的制备方法，其特征在于，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管的长度相同。