[发明专利]单晶碳化硅专用材料的制备方法

摘要

本发明是一种单晶碳化硅专用材料的制备方法，其特征在于，选取粒径不大于10目的碳化硅为原料，用纯水对原料进行水洗，洗至水清澈；然后将水洗完的碳化硅依次经氢氧化钠洗、硫酸洗、王水洗、氢氟酸洗，再水洗至中性后，干燥，然后将碳化硅置于加热装置中进行加热煅烧，即得单晶碳化硅专用材料。本发明方法可以有效去除碳化硅原料中的灰尘、油、碳、硅、二氧化硅、Cu、Fe、Al及少量惰性金属和游离碳等杂质，各步骤相辅相成，使成品单晶碳化硅专用材料的纯度达到99.99％，达到第三代半导体材料的使用要求。

主权项

1、一种单晶碳化硅专用材料的制备方法，其特征在于，其步骤如下：(1)选取粒径不大于10目的碳化硅为原料，用纯水对原料进行水洗，洗至水清澈；(2)将水洗完的碳化硅直接放入带盖容量中，每10L容积的带盖容量内放置8-12Kg碳化硅，然后向带盖容量中加入纯水漫过碳化硅表面，再缓慢加入纯度大于98％的片状氢氧化钠，搅拌，使带盖容量内的氢氧化钠溶液浓度达到8％-10％；将带盖容量放入水浴锅内，80℃-90℃水浴反应6-10小时，每1-3小时搅拌1-2次；再将水浴反应后的碳化硅用纯水进行水洗至中性；(3)将水洗后的碳化硅再次放入带盖容量内，每10L容积的带盖容量内放置8-12Kg碳化硅，然后向带盖容量中加入浓度为10-20％的硫酸溶液漫过碳化硅表面，搅拌；然后将带盖容量放入水浴锅内，80℃-90℃水浴反应6-10小时，每1-3小时搅拌1-2次；再用纯水将水浴反应后的碳化硅进行水洗至中性；(4)将水洗后的碳化硅再次放入带盖容量内，每10L容积的带盖容量内放置8-12Kg碳化硅，然后按每8-12Kg碳化硅中加入300-500ml的比例向带盖容量中加入王水，再加入纯水漫过碳化硅，搅拌；将带盖容量放入水浴锅内，80℃-90℃水浴反应6-10小时，每1-3小时搅拌1-2次；再用纯水将水浴反应后的碳化硅进行水洗至中性；(5)将水洗后的碳化硅再次放入带盖容量内，每10L容积的带盖容量内放置8-12Kg碳化硅，然后按每8-12Kg碳化硅中加入300-500ml的比例向带盖容量中加入浓度为35％-45％的氢氟酸，再加入纯水漫过碳化硅，搅拌；将带盖容量放入水浴锅内，80℃-90℃水浴反应6-10小时，每1-3小时搅拌1-2次；再用蒸馏水将水浴反应后的碳化硅进行水洗至中性；(6)将水洗后的碳化硅干燥，然后将碳化硅置于加热装置中进行1300℃-1800℃加热煅烧，在加热煅烧的同时向加热装置中充入适量的氧气，即得单晶碳化硅专用材料。