[发明专利]具散热贯穿孔的氮化镓系发光二极管结构无效

专利信息
申请号: 200910180388.7 申请日: 2009-10-27
公开(公告)号: CN102054904A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 陈隆建;彭少鹏 申请(专利权)人: 东莞市福地电子材料有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京华夏博通专利事务所 11264 代理人: 刘俊
地址: 523000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种具散热贯穿孔的氮化镓系发光二极管结构,包括蓝宝石基体、散热层及氮化镓系的发光二极管芯片,其中发光二极管芯片在蓝宝石基体的上表面上,而散热层在蓝宝石基体的下表面,且氮化镓系发光二极管结构具有至少一散热贯穿孔,该至少一散热贯穿孔贯穿发光二极管芯片以及蓝宝石基体,且散热贯穿孔内填满导热材料,以形成接触到散热层的散热连接道,提供额外的散热路径以大幅提高散热效应,进而避免发生过热而影响发光稳定性或甚至发生永久性毁损。
搜索关键词: 散热 贯穿 氮化 发光二极管 结构
【主权项】:
一种具散热贯穿孔的氮化镓系发光二极管结构,其特征在于,包括:一蓝宝石基体;一散热层,在该蓝宝石基体的下表面;以及一发光二极管芯片,为氮化镓系的发光二极管芯片,在该蓝宝石基体的上表面上,且具有一发光区;其中,该散热层用以提供散热,该氮化镓系发光二极管结构具有至少一散热贯穿孔,该散热贯穿孔贯穿该发光二极管芯片以及蓝宝石基体,且在散热贯穿孔内填满导热材料,以形成接触到散热层的散热连接道,提供额外的散热路径,将该发光二极管芯片所产生的热量传导至外部。
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