[发明专利]发光二极管结构有效
| 申请号： | 200910179004.X | 申请日： | 2009-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102044596A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 许嘉芸;徐志宏 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;G02B1/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管结构，包括一发光二极管芯片、一支撑发光二极管芯片且与发光二极管芯片电性连接的导线架以及一包覆发光二极管芯片及部分导线架的透镜。透镜的上方形成有一凹槽，凹槽具有一阶梯状的内侧壁，其中内侧壁的一上倾斜壁部的斜度大于一下倾斜壁部的斜度，内侧壁的一连接壁部连接上倾斜壁部及下倾斜壁部，连接壁部的斜度分别大于上倾斜壁部及下倾斜壁部的斜度。本发明具有改良的光型，以适合作为装饰灯之用。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管结构，包括：一发光二极管芯片；一导线架，与该发光二极管芯片电性连接，该导线架支撑该发光二极管芯片；以及一透镜，包覆该发光二极管芯片及部分的该导线架，该透镜的上方形成有一凹槽，该凹槽具有一阶梯状的内侧壁，该内侧壁的一上倾斜壁部的斜度大于一下倾斜壁部的斜度。
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