[发明专利]高频功率放大器无效
| 申请号： | 200910178655.7 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101741323A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 稻森正彦;立冈一树;牧原弘和;松田慎吾;海藤淳司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21;H03F3/19;H03F1/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够同时实现充分的耐损坏性、和低输出时以及高输出时的良好的高频特性的高频功率放大器。高频信号经由电容(C1～Cn)，分别输入晶体管(Q1～Qn)的基极，放大后由晶体管(Q1～Qn)的集电极输出。各晶体管(Q1～Qn)的发射极接地。由偏置电路(B1)提供的偏置电流，在由低输出时过渡为高输出时，经由电阻(Ra1～Ran)，分别提供给晶体管(Q1～Qn)的基极。晶体管(Q1～Qn)的集电极经由阻抗电路(Z)，与偏置电压输入端子(DCIN)连接，高输出时与来自集电极的高频信号输出的一部分一起，由阻抗电路(Z)，产生直流偏移电压，进一步增加偏置电流。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种高频功率放大器，用于高频信号的功率放大，其特征在于，具备：并联连接的发射极接地的多个晶体管；向一个端子施加公共的直流偏置电压，且将另一端子与所述多个晶体管的基极分别连接的多个第一电阻；向一个电极输入公共的所述高频信号，且将另一电极与所述多个晶体管的基极分别连接的多个第一电容；和向一个端子施加公共的所述直流偏置电压，且将另一端子与所述多个晶体管的集电极分别连接的至少一个阻抗电路，所述阻抗电路对直流成分导通。
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