[发明专利]多晶硅制备用碳部件的净化方法有效
| 申请号： | 200910174675.7 | 申请日： | 2009-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101683975A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 生川满敏;渡部谦一 | 申请（专利权）人： | 三菱麻铁里亚尔株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/00 | 分类号： | C01B31/00;C04B35/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴 娟;孙秀武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅制备用碳部件的净化方法，将用于多晶硅制备的碳部件置于处理炉内部，将处理炉内部用惰性气体等置换，然后多次重复下述处理后使处理炉内部冷却：干燥处理，其中，将处理炉内部升温至干燥温度，使惰性气体等流通，干燥碳部件；氯气流通处理(步骤2)，其中，在干燥处理后，将处理炉内部升温至高于干燥温度的净化温度，同时使氯气在处理炉内部流通；减压处理(步骤3)，其中，在氯气流通处理后，使处理炉内部减压；减压保持处理(步骤4)，其中，将处理炉内部保持于由减压处理产生的减压状态；和氯气加压处理(步骤5)，其中，向减压保持处理后的处理炉内部导入氯气，使处理炉内部呈加压状态。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制备 部件 净化 方法 | ||
【主权项】：
1.多晶硅制备用碳部件的净化方法，其特征在于，具有如下处理：将所述碳部件置于处理炉内部，将处理炉内部用惰性气体等置换的处理；干燥处理，其中，将所述处理炉内部升温至干燥温度，使惰性气体等流通，干燥碳部件；氯气流通处理，其中，在所述干燥处理后，将所述处理炉内部升温至高于所述干燥温度的净化温度，同时使氯气在处理炉内部流通；减压处理，其中，在所述氯气流通处理后，使所述处理炉内部减压；减压保持处理，其中，将处理炉内部保持于由所述减压处理产生的减压状态；氯气加压处理，其中，向所述减压保持处理后的所述处理炉中导入氯气，使处理炉内部呈加压状态；和冷却处理，其中，在所述氯气加压处理后，将所述处理炉内部冷却。
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