[发明专利]最优化图像传感器件的衬底厚度的方法有效
| 申请号： | 200910173955.6 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101807544A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 许慈轩;许家豪;王俊智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造图像传感器件的方法，包括：提供具有正面和背面的衬底；对位于所述衬底正面的光致抗蚀剂层进行图案化，以限定具有第一宽度的开口，所述光致抗蚀剂层具有与所述第一宽度相关的第一厚度；使用与所述第一厚度相关的注入能量穿过所述开口执行注入工艺，由此在所述衬底中形成第一掺杂隔离特征；形成与所述第一掺杂隔离特征邻近的光敏感特征，所述光敏感特征具有第二宽度；以及从所述背面减薄所述衬底，从而所述衬底具有不超出所述第一掺杂隔离特征的深度两倍的第二厚度。像素尺寸基本上等于所述第一宽度和所述第二宽度的总和。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 图像传感器 衬底 厚度 方法 | ||
【主权项】：
一种制造图像传感器件的方法，包括：提供具有正面和背面的衬底；对位于所述衬底正面的光致抗蚀剂层进行图案化，以限定具有第一宽度的开口，所述光致抗蚀剂层具有与所述第一宽度相关的第一厚度；使用与所述第一厚度相关的注入能量穿过所述开口执行注入工艺，由此在所述衬底中形成第一掺杂隔离特征；形成与所述第一掺杂隔离特征邻近的光敏感特征，所述光敏感特征具有第二宽度；以及从所述背面减薄所述衬底，从而所述衬底具有不超出所述第一掺杂隔离特征的深度两倍的第二厚度；其中像素尺寸基本上等于所述第一宽度和所述第二宽度的总和。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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