[发明专利]发光元件无效
| 申请号： | 200910173068.9 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101673797A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 新井优洋;饭塚和幸 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟 晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造成品率高的发光元件。该发光元件具有：半导体层叠结构(10)，其具有第1导电型的第1半导体层、与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层、夹持于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的活性层(105)；反射层(132)，其设置于所述半导体层叠结构(10)的一侧的表面，反射所述活性层(105)所发出的光；支撑衬底(20)，在所述反射层(132)的与所述半导体层叠结构(10)一侧相反的一侧隔着金属接合层支撑所述半导体层叠结构(10)，由硅或锗形成；背面电极(210)，其含有金，设置于所述支撑衬底(20)的所述金属结合层的相反一侧，通过所述金与所述支撑衬底(20)之间的合金化而具有比金更高的硬度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，其具有：半导体层叠结构，该半导体层叠结构包括第1导电型的第1半导体层、与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层、夹持于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的活性层；反射层，其设置于所述半导体层叠结构的一侧的表面，反射所述活性层所发出的光；支撑衬底，在所述反射层的与所述半导体层叠结构一侧相反的一侧隔着金属接合层支撑所述半导体层叠结构，由硅或锗的任意一种形成；背面电极，其含有金，设置于所述支撑衬底的所述金属接合层的相反一侧，通过所述金与所述支撑衬底之间的合金化而具有比金的硬度更高的硬度。
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