[发明专利]发光元件无效
| 申请号: | 200910173068.9 | 申请日: | 2009-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN101673797A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
| 发明(设计)人: | 新井优洋;饭塚和幸 | 申请(专利权)人: | 日立电线株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L27/15;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟 晶 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,其具有:
半导体层叠结构,该半导体层叠结构包括第1导电型的第1半导体层、与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层、夹持于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的活性层;
反射层,其设置于所述半导体层叠结构的一侧的表面,反射所述活性层所发出的光;
支撑衬底,在所述反射层的与所述半导体层叠结构一侧相反的一侧隔着金属接合层支撑所述半导体层叠结构,由硅或锗的任意一种形成;
背面电极,其含有金,设置于所述支撑衬底的所述金属接合层的相反一侧,通过所述金与所述支撑衬底之间的合金化而具有比金的硬度更高的硬度。
2.根据权利要求1所述的发光元件,在所述支撑衬底与所述背面电极之间还具有紧密结合层,
所述紧密结合层至少在所述金与所述支撑衬底的合金化之前使所述支撑衬底与所述背面电极紧密接合,同时具有不妨碍所述金与所述支撑衬底的合金化的厚度,
所述背面电极由所述金迁移过紧密结合层与所述支撑衬底合金化而形成。
3.根据权利要求2所述的发光元件,所述紧密结合层具有0.5nm以上100nm以下的厚度。
4.根据权利要求3所述的发光元件,所述紧密结合层由钛形成。
5.根据权利要求4所述的发光元件,所述背面电极在所述合金化之前含有30nm以上厚度的金层。
6.根据权利要求5所述的发光元件,所述支撑衬底具有0.01Ωcm以下的电阻率。
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