[发明专利]发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及发光元件，特别涉及一种能够以高成品率来制造的光输出高的发光元件。

背景技术

现在，已知的发光元件具有：在一侧的表面具有阳极电极的硅支撑衬底；设置于硅支撑衬底的另一侧表面的金属反射层；设置于金属反射层之上，与金属反射层欧姆接触的光透过膜；具有由设置于光透过膜之上且与光透过膜欧姆接触的p型半导体层与n型半导体层夹持的活性层的半导体层叠结构；设置于半导体层叠结构之上的阴极电极(例如，参照专利文献1)。

专利文献1中记载的发光元件，在半导体层叠结构与金属反射层之间配置具有导电性的光透过膜，其在与半导体层叠结构及金属反射层的双方欧姆接触的同时，抑制了半导体层叠结构与金属反射层之间的合金化，因此可以构成具有优越的光反射特性的金属反射层，可以提供发光效率得到提高的发光元件。

专利文献1：JP特开2005-175462号公报

发明内容

但是，专利文献1中所记载的发光元件，在其制造过程中在分别将多个光学元件通过切割(dicing)工序进行分离的时候，在硅支撑衬底的背面发生硅支撑衬底欠缺、破裂等所谓的背面破片(back surface chipping)，从而在提高发光元件的成品率上是有限度的。

因此，本发明的目的在于提供一种制造成品率高的发光元件。

为了达到上述目的，本发明提供了一种发光元件，其具有：半导体层叠结构、反射层、支撑衬底和背面电极。所述半导体层叠结构具有第1导电型的第1半导体层，与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层，夹持于第1半导体层与第2半导体层之间的活性层；所述反射层设置于半导体层叠结构的一侧的表面，反射活性层所发出的光；所述支撑衬底在反射层的与半导体层叠结构侧相反的一侧隔着金属结合层支撑半导体层叠结构，由硅或锗的任意一种形成；所述背面电极含有金，设置于支撑衬底的金属结合层的相反一侧，通过金与支撑衬底的合金化而具有比金更高的硬度。

此外，上述发光元件还具有紧密结合层，其在所述支撑衬底与所述背面电极之间，至少在所述金与所述支撑衬底的合金化之前使所述支撑衬底与所述背面电极紧密结合，同时具有不妨碍所述金与所述支撑衬底的合金化的厚度，背面电极可以由金迁移过紧密结合层与支撑衬底合金化来形成。

此外，上述发光元件的紧密结合层可以具有0.5nm以上100nm以下的厚度。而且，紧密结合层可以由钛形成。进一步，背面电极在所述合金化之前可以含有30nm以上厚度的金层。而且，支撑衬底可以具有0.01Ωcm以下的电阻率。

根据本发明的发光元件，可以提供一种制造成品率高的发光元件。

附图说明

图1A为实施方式所涉及的发光元件的模式剖面图。

图1B为实施方式所涉及的发光元件的模式俯视图。

图2A为实施方式所涉及的发光元件的制造工序的图。

图2B为实施方式所涉及的发光元件的制造工序的图。

图2C为实施方式所涉及的发光元件的制造工序的图。

图2D为实施方式所涉及的发光元件的制造工序的图。

图2E为实施方式所涉及的发光元件的制造工序的图。

图2F为实施方式所涉及的发光元件的制造工序的图。

图2G为实施方式所涉及的发光元件的制造工序的图。

图2H为实施方式所涉及的发光元件的制造工序的图。

图2I为实施方式所涉及的发光元件的制造工序的图。

图2J为实施方式所涉及的发光元件的制造工序的图。

符号说明

1发光元件

1a半导体层叠结构体

1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h  接合结构体

10、11半导体层叠结构

20支撑衬底

20a支撑结构体

100n型GaAs衬底

101n型接触层

102蚀刻阻止层

103n型包覆层

105活性层

107p型包覆层

109p型接触层

110表面电极

110a、110b、110c、110d细线电极

115盘电极

120接触部

120b、120c、120d、120e细线部

130反射部

132反射层

134阻挡层

136、202接合层

136a、202a接合面

140透明层

140a开口

200紧密结合层

204接触电极