[发明专利]制造闪存装置的方法

摘要

一种制造闪存装置的方法，包括：制备包括元件区和周边区的半导体衬底，在元件区中形成第一阱和氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层，在包括第一阱的半导体衬底的周边区中形成第二阱，并在周边区中形成第一氧化物层，在ONO层和第一氧化物层上方形成第一多晶硅层，并执行第一蚀刻工艺，以在元件区中形成包括ONO层图案和第一多晶硅图案的存储器栅极，在所述存储器栅极的任一侧壁上方形成第二氧化物层图案和第二多晶硅图案，并在周边区中形成栅极，执行第三蚀刻工艺，使得第二氧化物层图案和第二多晶硅图案仅保留在所述存储器栅极的一个侧壁上方，以形成选择栅极，以及在半导体衬底中彼此相邻的存储器栅极之间形成第一杂质区。本发明能减少掩模数量。

主权项

一种方法，包括如下步骤：制备包括元件区和周边区的半导体衬底；在该半导体衬底的该元件区中形成第一阱，并在该半导体衬底的该元件区上方形成氧化物-氮化物-氧化物层；在该半导体衬底的该周边区中形成第二阱，并在该半导体衬底的该周边区上方形成第一氧化物层；在该氧化物-氮化物-氧化物层和该第一氧化物层上方形成第一多晶硅层，并执行第一蚀刻工艺，以在该元件区中形成包括氧化物-氮化物-氧化物层图案和第一多晶硅图案的存储器栅极；在所述存储器栅极的第一侧壁上方形成第二氧化物层图案和第二多晶硅图案，并在该周边区中形成栅极；在该半导体衬底上执行第三蚀刻工艺，使得该第二氧化物层图案和该第二多晶硅图案仅保留在所述存储器栅极的第一侧壁上方，以形成选择栅极；以及在该半导体衬底中彼此相邻的所述存储器栅极之间形成第一杂质区。