[发明专利]半导体集成电路无效

专利信息
申请号: 200910166618.4 申请日: 2009-08-24
公开(公告)号: CN101662260A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 中村宝弘;北村智满;山胁大造;乘松崇泰;魚住俊弥 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: H03B28/00 分类号: H03B28/00;H03L7/099
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 郭 放
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种降低了芯片占有面积、且降低了控制振荡器(DCO)的控制增益的偏差的半导体集成电路。半导体集成电路具备数字控制振荡器(DCO),DCO包括振荡元件(NM1、NM2)和谐振电路(20)。谐振电路(20)包括电感(L11、L12)、频率粗调用可变电容阵列(CCT11)、频率微调用可变电容阵列(CFT11)。粗调用可变电容阵列(CCT11)包括多个粗调电容单位单元(CCT<0>、CCT<1>...),微调用可变电容阵列(CFT11)包括多个微调电容单位单元(CFT<0>、CFT<1>...)。粗调用可变电容阵列(CCT11)的多个粗调电容单位单元的电容值是按照二进制权重(2M-1)设定的,微调用可变电容阵列(CFT11)的上述多个微调电容单位单元的电容值是按照二进制权重(2N-1)设定的。
搜索关键词: 半导体 集成电路
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,其特征在于,具备数字控制振荡器,上述数字控制振荡器包括振荡晶体管和谐振电路,上述谐振电路包括电感、频率粗调用可变电容阵列、和频率微调用可变电容阵列,上述频率粗调用可变电容阵列至少包括由第一规定数量的比特数的粗调数字控制信号控制的上述第一规定数量的多个粗调电容单位单元,上述频率微调用可变电容阵列至少包括由第二规定数量的比特数的微调数字控制信号控制的上述第二规定数量的多个微调电容单位单元,上述频率粗调用可变电容阵列的上述多个粗调电容单位单元各自的电容值是按照二进制权重设定的,上述频率微调用可变电容阵列的上述多个微调电容单位单元各自的电容值是按照二进制权重设定的。
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