[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体层，该半导体层在InP基板上依次包括n型第一熔覆层、n型第二熔覆层、活性层、p型第一熔覆层和p型第二熔覆层。所述n型第一熔覆层和所述n型第二熔覆层满足下面的公式(1)～公式(4)，或者所述p型第一熔覆层和所述p型第二熔覆层满足下面的公式(5)～公式(8)：1×10¹⁷cm^-3≤N1≤1×10²⁰cm^-3 …(1)N1＞N2 …(2)D1＞D2 …(3)Ec1＜Ec3＜Ec2 …(4)1×10¹⁷cm^-3≤N4≤10²⁰cm^-3 …(5)N3＜N4 …(6)D3＜D4 …(7)Ev1＜Ev3＜Ev2 …(8)在本发明的半导体器件中，通过将n型熔覆层或者p型熔覆层分成两层，因而能够将载流子传导、载流子限制、对Type II发光的抑制和光限制的全部特性设为适于所述n型熔覆层和所述p型熔覆层的值。

主权项

1.一种半导体器件，其包括半导体层，所述半导体层在InP基板上依次包括n型第一熔覆层、n型第二熔覆层、活性层、p型第一熔覆层和p型第二熔覆层，其中，所述n型第一熔覆层和所述n型第二熔覆层满足下面的公式(1)～公式(4)，或者所述p型第一熔覆层和所述p型第二熔覆层满足下面的公式(5)～公式(8)，1×1017cm-3≤N1≤1×1020cm-3 ...(1)N1＞N2 ...(2)D1＞D2 ...(3)Ec1＜Ec3＜Ec2 ...(4)1×1017cm-3≤N4≤1020cm-3 ...(5)N3＜N4 ...(6)D3＜D4 ...(7)Ev1＜Ev3＜Ev2 ...(8)上述公式中，N1是所述n型第一熔覆层的n型载流子浓度，N2是所述n型第二熔覆层的n型载流子浓度，D1是所述n型第一熔覆层的层厚度，D2是所述n型第二熔覆层的层厚度，Ec1是所述n型第一熔覆层的导带底端或者导带次级底端，Ec2是所述n型第二熔覆层的导带底端或者导带次级底端，Ec3是所述活性层的导带底端或者导带次级底端，N3是所述p型第一熔覆层的p型载流子浓度，N4是所述p型第二熔覆层的p型载流子浓度，D3是所述p型第一熔覆层的层厚度，D4是所述p型第二熔覆层的层厚度，Ev1是所述p型第一熔覆层的价带顶端或者价带次级顶端，Ev2是所述p型第二熔覆层的价带顶端或者价带次级顶端，以及Ev3是所述活性层的价带顶端或者价带次级顶端。