[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括半导体层，所述半导体层在InP基板上 依次包括n型第一熔覆层、n型第二熔覆层、活性层、p型第一熔覆层和 p型第二熔覆层，

其中，所述n型第一熔覆层和所述n型第二熔覆层满足下面的公式 (1)～公式(4)，或者所述p型第一熔覆层和所述p型第二熔覆层满足下面 的公式(5)～公式(8)，

1×10¹⁷cm^-3≤N1≤1×10²⁰cm^-3    ...(1)

N1＞N2  ...(2)

D1＞D2  ...(3)

Ec1＜Ec3＜Ec2  ...(4)

1×10¹⁷cm^-3≤N4≤10²⁰cm^-3   ...(5)

N3＜N4   ...(6)

D3＜D4   ...(7)

Ev1＜Ev3＜Ev2   ...(8)

上述公式中，N1是所述n型第一熔覆层的n型载流子浓度，N2是 所述n型第二熔覆层的n型载流子浓度，D1是所述n型第一熔覆层的层 厚度，D2是所述n型第二熔覆层的层厚度，Ec1是所述n型第一熔覆层 的导带底端或者导带次级底端，Ec2是所述n型第二熔覆层的导带底端 或者导带次级底端，Ec3是所述活性层的导带底端或者导带次级底端， N3是所述p型第一熔覆层的p型载流子浓度，N4是所述p型第二熔覆 层的p型载流子浓度，D3是所述p型第一熔覆层的层厚度，D4是所述p 型第二熔覆层的层厚度，Ev1是所述p型第一熔覆层的价带顶端或者价 带次级顶端，Ev2是所述p型第二熔覆层的价带顶端或者价带次级顶端， 以及Ev3是所述活性层的价带顶端或者价带次级顶端。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述n型第一熔覆层 和所述n型第二熔覆层满足公式(1)～公式(4)的情况下，

所述n型第一熔覆层具有主要含有Mg_x1Zn_x2Cd_1-x1-x2Se的单层结构， 或者主要含有MgSe/Zn_x3Cd_1-x3Se超晶格的层叠结构，并且

所述n型第二熔覆层具有主要含有Mg_x4Zn_1-x4Se_x5Te_1-x5的单层结构， 或者主要含有MgSe/Mg_x6Zn_1-x6Se_x7Te_1-x7超晶格的层叠结构，

其中0＜x1＜1，0＜x2＜1，0＜1-x1-x2＜1，0＜x3＜1，0＜x4＜1，0.5＜x5＜1， 0＜x6＜1，0.5＜x7＜1。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述p型第一熔覆层 和所述p型第二熔覆层满足公式(5)～公式(8)的情况下，

所述p型第一熔覆层具有主要含有MgSe/Be_x8Zn_1-x8Te超晶格的层叠 结构，并且

所述p型第二熔覆层具有主要含有Be_x9Mg_1-x9Te/Be_x10Zn_1-x10Te超晶 格的层叠结构，或者主要含有Be_x11Mg_x12Zn_1-x11-x12Te的单层结构，

其中，0＜x8＜1，0＜x9＜1，0＜x10＜1，0＜x11＜1，0＜x12＜1，0＜1-x11-x12＜1。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述活性层具有主要含 有Be_x13Zn_1-x13Se_x14Te_1-x14的单层结构、主要含有 MgSe/Be_x15Zn_1-x15Se_x16Te_1-x16超晶格的层叠结构或者主要含有 ZnSe/Be_x17Zn_1-x17Se_x18Te_1-x18超晶格的层叠结构，

其中，0＜x13＜1，0＜x14＜1，0＜x15＜1，0＜x16＜1，0＜x17＜1，0≤x18＜1。