[发明专利]制备太阳能电池上的选择性发射极的方法及其中使用的扩散设备有效
申请号: | 200910162713.7 | 申请日: | 2009-08-10 |
公开(公告)号: | CN101800261A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 朴胜一;许闰成;李万根 | 申请(专利权)人: | SNT能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州弘邦专利商标事务所有限公司 44236 | 代理人: | 张钇斌 |
地址: | 韩国京畿道华城*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种制备一种太阳能电池上的选择性发射极的方法和一种扩散设备的方法。该方法包括蚀刻一块硅底板使其表面产生纹理,在硅底板的表面上涂覆一种混合物溶液,将一种第一热能注入到已经涂覆了混合物溶液的硅底板的整个表面上,并且在向硅底板的整个表面上注入该第一热能的同时,用一束激光束照射硅底板上的部分区域,从而向其注入一种第二热能。 | ||
搜索关键词: | 制备 太阳能电池 选择性 发射极 方法 其中 使用 扩散 设备 | ||
【主权项】:
一种制备太阳能电池中选择性发射极的方法,该方法包括:蚀刻一块硅底板使其表面产生纹理;在硅底板的表面上涂覆一种混合物溶液;将一种第一热能注入到已经涂覆了混合物溶液的硅底板的整个表面上;并且在向硅底板的整个表面上注入该第一热能的同时,用一束激光束照射已经涂覆了混合物溶液的硅底板的一部分区域,从而向其注入一种第二热能,其特征在于,第一热能使混合物溶液在硅底板上进行扩散,从而形成一个发射极层,并且第二热能包括第一热能和激光束产生的第三热能,并且第二热能产生的温度等于第一热能和第三热能产生的温度之和。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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