[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910160859.8 | 申请日： | 2009-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101640184A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李秉镐 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;C25D7/12 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 宋子良;吴淑平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：通过电镀工艺，在第二IMD层上方和形成在第二IMD层中的第二孔内部形成第二镀铜层，其中，电镀工艺使用暴露的第一镀铜层作为籽晶层。使用该方法，可以更简单快速地形成镀铜层，并且可以实现优良的间隙填充性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体衬底上方形成至少一个第一金属间介电(IMD)层；在所述第一IMD层中形成第一孔以暴露所述半导体衬底；在所述第一IMD层上方和所述第一孔中形成第一镀铜层；在所述第一镀铜层上方形成至少一个第二IMD层；在所述第二IMD层中形成第二孔以暴露所述第一镀铜层；以及然后通过实施电镀工艺，在所述第二IMD层上方和所述第二孔中形成第二镀铜层，其中，所述电镀工艺使用所述暴露的第一镀铜层作为籽晶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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