[发明专利]具有鲁棒性启动电路的带隙电压基准电路有效
申请号: | 200910160579.7 | 申请日: | 2009-08-10 |
公开(公告)号: | CN101995899A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 高彬 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | G05F3/24 | 分类号: | G05F3/24 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;杨静 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种具有鲁棒性启动电路的带隙电压基准电路。所述带隙电压基准电路可以有效地使CMOS工艺带隙基准电路在上电过程中脱离零工作状态,而正常启动,并且在上电结束后有效关断启动控制管,使之不影响带隙电压基准电路正常工作。因此,该启动电路应用在CMOS带隙基准电路中具有很好的鲁棒性。 | ||
搜索关键词: | 具有 鲁棒性 启动 电路 电压 基准 | ||
【主权项】:
一种带有启动电路的带隙电压基准电路,在所述带隙电压基准电路中,共栅极的第一PMOS晶体管M1和第二PMOS晶体管M2与运算放大器构成反馈电路,M1和M2的源极接电源,M1和M2的栅极接运算放大器的输出端,M1的漏极连接运算放大器的负向输入端,M2的漏极连接运算放大器的正向输入端,其特征在于,所述启动电路包括启动控制电路和启动控制管,所述启动控制电路包括比较器和上电信号检测电路,所述上电信号检测电路包括电容C1、两个共栅极的第三PMOS型晶体管M3和第四PMOS型晶体管M4以及第五NMOS型晶体管M5,其中,将M3和M5的栅极和漏极连接到比较器的正向输入端,M3和M4的源极接电源,M5的源极接地,将M4的漏极和电容C1的正极板连接到比较器的反向输入端,并将C1的负极板接地;将比较器的输出端连接到启动控制管的栅极,将启动控制管的源极接地,并将启动控制管的漏极连接到所述反馈电路中的M1和M2的栅极。
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