[发明专利]制造薄膜晶体管阵列基板的方法有效

专利信息
申请号: 200910159040.X 申请日: 2009-08-04
公开(公告)号: CN101656230A 公开(公告)日: 2010-02-24
发明(设计)人: 林周洙;郭喜荣 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 徐金国;钟 强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法。该方法包括:使用第一掩模,在基板上形成栅电极、栅极线和栅极焊盘;在基板上形成栅极绝缘膜、半导体层和金属层;使用第二掩模,在金属层上形成第一光刻胶图形;使用第一光刻胶图形,形成用于栅极焊盘的第一接触孔;形成第二光刻胶图形,以及使用第二光刻胶图形,提供用于数据焊盘、数据线和薄膜晶体管的图形;提供第三光刻胶图形,以及使用第三光刻胶图形,形成用于源/漏电极的接触孔和用于栅极焊盘的第二接触孔;使用第三掩模,在基板上形成保护膜和在保护膜上提供第四光刻胶图形;使用第四光刻胶图形,形成用于栅极焊盘的第三接触孔、用于数据焊盘、栅极线和漏电极的接触孔,以及用于像素电极的接触孔;在具有接触孔的第四光刻胶图形上形成透明导电膜。
搜索关键词: 制造 薄膜晶体管 阵列 方法
【主权项】:
1、一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法,包括:使用第一掩模,在基板上形成栅电极、栅极线和栅极焊盘;在基板上形成栅极绝缘膜、半导体层和金属层;使用第二掩模,在金属层上形成第一光刻胶图形;使用第一光刻胶图形,形成用于栅极焊盘的第一接触孔;灰化第一光刻胶图形,从而形成第二光刻胶图形,以及使用第二光刻胶图形,形成用于数据焊盘、数据线和薄膜晶体管的图形;灰化第二光刻胶图形,从而形成第三光刻胶图形,以及使用第三光刻胶图形,形成用于源/漏电极的接触孔和用于栅极焊盘的第二接触孔;使用第三掩模,在基板上形成保护膜和在保护膜上提供第四光刻胶图形;使用第四光刻胶图形,形成用于栅极焊盘的第三接触孔、用于数据焊盘、栅极线和漏电极的接触孔,以及用于像素电极的接触孔;在具有接触孔的第四光刻胶图形上形成透明导电膜,从而在第三接触孔中提供用于栅极焊盘的第一透明电极,在用于数据焊盘的接触孔中提供第二透明电极,在用于像素电极的接触孔中提供第三透明电极,在用于栅极线的接触孔中提供第四透明电极,以及在用于漏电极的接触孔中提供第五透明电极;以及除去第四光刻胶图形,其中第三掩模包括透射光的透射区、部分地透射和阻挡光的半透射区、以及阻挡光的阻挡区,并且这三个区具有不同的透射率。
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