[发明专利]制造薄膜晶体管阵列基板的方法有效
申请号: | 200910159040.X | 申请日: | 2009-08-04 |
公开(公告)号: | CN101656230A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 林周洙;郭喜荣 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;钟 强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法。该方法包括:使用第一掩模,在基板上形成栅电极、栅极线和栅极焊盘;在基板上形成栅极绝缘膜、半导体层和金属层;使用第二掩模,在金属层上形成第一光刻胶图形;使用第一光刻胶图形,形成用于栅极焊盘的第一接触孔;形成第二光刻胶图形,以及使用第二光刻胶图形,提供用于数据焊盘、数据线和薄膜晶体管的图形;提供第三光刻胶图形,以及使用第三光刻胶图形,形成用于源/漏电极的接触孔和用于栅极焊盘的第二接触孔;使用第三掩模,在基板上形成保护膜和在保护膜上提供第四光刻胶图形;使用第四光刻胶图形,形成用于栅极焊盘的第三接触孔、用于数据焊盘、栅极线和漏电极的接触孔,以及用于像素电极的接触孔;在具有接触孔的第四光刻胶图形上形成透明导电膜。 | ||
搜索关键词: | 制造 薄膜晶体管 阵列 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法,包括:使用第一掩模,在基板上形成栅电极、栅极线和栅极焊盘;在基板上形成栅极绝缘膜、半导体层和金属层;使用第二掩模,在金属层上形成第一光刻胶图形;使用第一光刻胶图形,形成用于栅极焊盘的第一接触孔;灰化第一光刻胶图形,从而形成第二光刻胶图形,以及使用第二光刻胶图形,形成用于数据焊盘、数据线和薄膜晶体管的图形;灰化第二光刻胶图形,从而形成第三光刻胶图形,以及使用第三光刻胶图形,形成用于源/漏电极的接触孔和用于栅极焊盘的第二接触孔;使用第三掩模,在基板上形成保护膜和在保护膜上提供第四光刻胶图形;使用第四光刻胶图形,形成用于栅极焊盘的第三接触孔、用于数据焊盘、栅极线和漏电极的接触孔,以及用于像素电极的接触孔;在具有接触孔的第四光刻胶图形上形成透明导电膜,从而在第三接触孔中提供用于栅极焊盘的第一透明电极,在用于数据焊盘的接触孔中提供第二透明电极,在用于像素电极的接触孔中提供第三透明电极,在用于栅极线的接触孔中提供第四透明电极,以及在用于漏电极的接触孔中提供第五透明电极;以及除去第四光刻胶图形,其中第三掩模包括透射光的透射区、部分地透射和阻挡光的半透射区、以及阻挡光的阻挡区,并且这三个区具有不同的透射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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