[发明专利]制造薄膜晶体管阵列基板的方法

权利要求书

1.一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法，包括：

使用第一掩模，在基板上形成栅电极、栅极线和栅极焊盘；

在基板上形成栅极绝缘膜、半导体层和金属层；

使用第二掩模，在金属层上形成第一光刻胶图形；

使用第一光刻胶图形，形成用于栅极焊盘的第一接触孔；

灰化第一光刻胶图形，从而形成第二光刻胶图形，以及使用第二光刻胶 图形，形成用于数据焊盘、数据线和薄膜晶体管的图形；

灰化第二光刻胶图形，从而形成第三光刻胶图形，以及使用第三光刻胶 图形，形成源/漏电极和用于栅极焊盘的第二接触孔；

使用第三掩模，在基板上形成保护膜和在保护膜上提供第四光刻胶图 形；

使用第四光刻胶图形，形成用于栅极焊盘的第三接触孔、用于数据焊盘、 栅极线和漏电极的接触孔，以及用于像素电极的接触孔；

在具有接触孔的第四光刻胶图形上形成透明导电膜，从而在第三接触孔 中提供用于栅极焊盘的第一透明电极，在用于数据焊盘的接触孔中提供第二 透明电极，在用于像素电极的接触孔中提供第三透明电极，在用于栅极线的 接触孔中提供第四透明电极，以及在用于漏电极的接触孔中提供第五透明电 极；以及

除去第四光刻胶图形，

其中第三掩模包括透射光的透射区、部分地透射和阻挡光的半透射区、 以及阻挡光的阻挡区，并且这三个区具有不同的透射率。

2.根据权利要求1记载的方法，其中第二掩模包括透射光的透射区、 部分地透射和阻挡光的第一和第二半透射区、以及阻挡光的阻挡区，并且这 四个区具有不同的透射率。

3.根据权利要求1记载的方法，其中第四光刻胶图形中形成用于像素 电极的接触孔的一些部分与交替设置的第三掩模的半透射区和透射区相对。

4.根据权利要求1记载的方法，其中第三透明电极的宽度为1.8～2.2 μm。

5.根据权利要求1记载的方法，其中该金属层包括铜Cu。

6.一种制造TFT阵列基板的方法，包括：

使用第一掩模，在基板上形成栅电极、栅极线和栅极焊盘；

在基板上形成栅极绝缘膜、半导体层和金属层；

使用第二掩模，在金属层上形成第一光刻胶图形；

使用第一光刻胶图形，形成用于栅极焊盘的接触孔、用于栅极焊盘和栅 极线的图形、用于数据线和薄膜晶体管的图形；

灰化第一光刻胶图形，从而形成第二光刻胶图形，以及使用第二光刻胶 图形，形成源/漏电极和用于栅极焊盘的第二接触孔，并除去用于栅极焊盘和 栅极线的图形的金属层；

使用第三掩模，在基板上形成保护膜和在保护膜上提供第三光刻胶图 形；

使用第三光刻胶图形，形成用于栅极焊盘的第三接触孔、用于像素电极 的接触孔以及用于栅极线和漏电极的接触孔；

在具有接触孔的第三光刻胶图形上形成透明导电膜，从而在用于栅极焊 盘的第三接触孔中提供第一透明电极、在用于像素电极的接触孔中提供第二 透明电极、在用于栅极线的接触孔中提供第三透明电极、以及在用于漏电极 的接触孔中提供第四透明电极；以及

除去第三光刻胶图形，

其中第三掩模包括透射光的透射区、部分地透射和阻挡光的半透射区、 以及阻挡光的阻挡区，并且这三个区具有不同的透射率。

7.根据权利要求6记载的方法，其中第三光刻胶图形中形成用于像素 电极的接触孔的一些部分与交替设置的第三掩模的半透射区和透射区相对。

8.根据权利要求6记载的方法，其中第三光刻胶图形中形成用于像素 电极的接触孔的的一些部分仅与第三掩模的透射区相对。

9.根据权利要求6记载的方法，其中第二透明电极的宽度为1.8～2.2 μm。

10.根据权利要求6记载的方法，其中该金属层包括钼Mo。