[发明专利]低温形成反射性发光二极管固晶接合结构的方法有效

专利信息
申请号: 200910158500.7 申请日: 2009-07-10
公开(公告)号: CN101950782A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 林修任;林建宪;赖杰隆 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种低温形成反射性发光二极管固晶接合结构的方法,包括以下步骤:将一第一金属层形成于一基板的一第一表面,该基板的一第二表面上则提供有一发光二极管磊晶结构;将一第二金属层形成于一基体上,该第二金属层的材质不同于该第一金属层;施加一压力于该基板与该基体上,使得该第一金属层与该第二金属层产生塑性变形而初步结合在一起;以及将该基板与基体置入一高温炉内加热,而且该第一金属层与该第二金属层在界面处进行固态扩散以形成一扩散合金层。
搜索关键词: 低温 形成 反射 发光二极管 接合 结构 方法
【主权项】:
一种低温形成反射性发光二极管固晶接合结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:将一第一金属层形成于一基板的一第一表面,该基板的一第二表面上提供有一发光二极管磊晶结构;将一第二金属层形成于一基体上,该第二金属层的材质不同于该第一金属层;施加压力于该基板与该基体上,使得该第一金属层与该第二金属层初步结合在一起;以及将加压固定的该基板与基体加热,以使该第一金属层与该第二金属层在界面处进行固态扩散以形成一扩散合金层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910158500.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top