[发明专利]垂直结构发光二极管的制造方法

摘要

本发明提供了垂直结构发光二极管的制作方法，包括如下步骤：在氮化镓外延层上沉积接触、反光层金属；在基板上沉积金属焊料；将氮化镓外延层与基板键合；去除蓝宝石衬底；外延层表面粗化，露出外延层中的N型氮化镓；去除划片槽区域的氮化镓外延层；沉积钝化层保护膜；露出沉积电极窗口，腐蚀去除电极窗口下的钝化层，蒸镀与N型氮化镓接触的金属薄膜，然后使用剥离工艺制作N电极28；划片切割垂直结构发光二极管。本发明具有工艺流程简单，有利于保障发光二极管的可靠性，提高良率，只用到两次光刻工艺，节省成本。

主权项

垂直结构发光二极管的制作方法，其特征在于：(1)在氮化镓外延层22上沉积接触、反光层金属21；(2)在导热、导电的基板25上沉积金属焊料24(3)通过反光层金属层21和金属焊料24，将氮化镓外延层22与基板25键合；(4)通过激光剥离或者机械研磨的方法去除蓝宝石衬底23；(5)通过干法刻蚀或者湿法腐蚀使去掉蓝宝石衬底后的外延层表面粗化，露出外延层中的N型氮化镓；(6)通过匀胶、光刻使发光二极管发光区被光刻胶26覆盖保护，露出划片槽窗口，然后通过干法刻蚀或者湿法腐蚀，去除划片槽区域的氮化镓外延层，去除光刻胶；或者先沉积刻蚀或腐蚀掩膜，然后匀胶、光刻，通过腐蚀去除划片槽区域的掩膜，然后再去除划片槽区域的氮化镓外延层，去除腐蚀掩模；(7)沉积一层钝化层27保护膜，使外延层和划片槽均被钝化层保护；(8)通过匀胶、光刻，露出沉积电极窗口，腐蚀去除电极窗口下的钝化层，蒸镀与N型氮化镓接触的金属薄膜，然后使用剥离工艺制作N电极28；(9)划片切割垂直结构发光二极管。