[发明专利]垂直结构发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 200910156998.3 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101771116A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 田红涛 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 发光二极管 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.垂直结构发光二极管的制作方法，其特征在于：
(1)在氮化镓外延层(22)上沉积接触、反光层金属(21)；
(2)在导热、导电的基板(25)上沉积金属焊料(24)
(3)通过反光层金属(21)和金属焊料(24)，将氮化镓外延层(22)与基板(25)键合；
(4)通过激光剥离或者机械研磨的方法去除蓝宝石衬底(23)，所述蓝宝石衬底同氮化镓外延层以及基板的位置关系依次为蓝宝石衬底/氮化镓外延层/基板；
(5)通过干法刻蚀或者湿法腐蚀使去掉蓝宝石衬底后的外延层表面粗化，露出外延层中的N型氮化镓；
(6)通过匀胶、光刻使发光二极管发光区被光刻胶(26)覆盖保护，露出划片槽窗口，然后通过干法刻蚀或者湿法腐蚀，去除划片槽窗口的氮化镓外延层，去除光刻胶；或者先沉积刻蚀或腐蚀掩膜，然后匀胶、光刻，通过腐蚀去除划片槽区域的掩膜，然后再去除划片槽区域的氮化镓外延层，去除腐蚀掩模；
(7)沉积一层钝化层(27)保护膜，使外延层和划片槽均被钝化层保护；
(8)通过匀胶、光刻，露出沉积电极窗口，腐蚀去除电极窗口下的钝化层，蒸镀与N型氮化镓接触的金属薄膜，然后使用剥离工艺制作N电极(28)；
(9)划片切割垂直结构发光二极管。
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