[发明专利]发光二极管的晶圆级封装结构及其制造方法有效
申请号: | 200910152235.1 | 申请日: | 2009-07-07 |
公开(公告)号: | CN101587933A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 李俊杰;王文斌;邹秋红;俞国庆;王蔚 | 申请(专利权)人: | 晶方半导体科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 丽 |
地址: | 215126江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种发光二极管的晶圆级封装结构及其制造方法,其中,所述封装结构包括:单元基底,包括第一面和与之相对的第二面;第一绝缘层,位于单元基底的第一面上;至少两条导线,位于所述绝缘层上,相互电隔离;凸点,位于所述导线上,用于与发光二极管的裸芯片的电极对应电连接;至少两个引脚区,位于所述基底的第二面上,相互分立;引脚线,位于引脚区内,相互电隔离并且与所述导线对应电连接。本发明通过在基底的第二面形成引脚线将发光二极管的电极引出,即本技术方案中发光二极管的引脚线与发光二极管位于基底的两个对立面内,这样可以减小所需基底面积;而且在后续封装结构中无需打金线技术将其电极引出,进一步减小了封装后的体积。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 晶圆级 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管的晶圆级封装结构,包括:单元基底,包括第一面和与之相对的第二面;第一绝缘层,位于单元基底的第一面上;至少两条导线,位于所述绝缘层上,相互电隔离;凸点,位于所述导线上,用于与发光二极管的裸芯片的电极对应电连接;至少两个引脚区,位于所述基底的第二面上,相互分立;引脚线,位于引脚区内,相互电隔离并且与所述导线对应电连接。
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