[发明专利]发光二极管的晶圆级封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910152235.1 申请日: 2009-07-07
公开(公告)号: CN101587933A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 李俊杰;王文斌;邹秋红;俞国庆;王蔚 申请(专利权)人: 晶方半导体科技(苏州)有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 李 丽
地址: 215126江苏省苏州市苏州*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种发光二极管的晶圆级封装结构及其制造方法,其中,所述封装结构包括:单元基底,包括第一面和与之相对的第二面;第一绝缘层,位于单元基底的第一面上;至少两条导线,位于所述绝缘层上,相互电隔离;凸点,位于所述导线上,用于与发光二极管的裸芯片的电极对应电连接;至少两个引脚区,位于所述基底的第二面上,相互分立;引脚线,位于引脚区内,相互电隔离并且与所述导线对应电连接。本发明通过在基底的第二面形成引脚线将发光二极管的电极引出,即本技术方案中发光二极管的引脚线与发光二极管位于基底的两个对立面内,这样可以减小所需基底面积;而且在后续封装结构中无需打金线技术将其电极引出,进一步减小了封装后的体积。
搜索关键词: 发光二极管 晶圆级 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种发光二极管的晶圆级封装结构,包括:单元基底,包括第一面和与之相对的第二面;第一绝缘层,位于单元基底的第一面上;至少两条导线,位于所述绝缘层上,相互电隔离;凸点,位于所述导线上,用于与发光二极管的裸芯片的电极对应电连接;至少两个引脚区,位于所述基底的第二面上,相互分立;引脚线,位于引脚区内,相互电隔离并且与所述导线对应电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶方半导体科技(苏州)有限公司,未经晶方半导体科技(苏州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910152235.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top