[发明专利]启动电路及具有启动电路的带隙电压基准电路有效
| 申请号： | 200910151144.6 | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101963821A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 高彬 | 申请（专利权）人： | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;杨静 |
| 地址： | 215021 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种启动电路及具有启动电路的带隙电压基准电路，所述带隙电压基准电路包括由运算放大器以及PMOS管构成的负反馈电路，所述负反馈电路对包括具有正温度系数和负温度系数特性的器件的两个支路的电压进行负反馈，其特征在于所述启动电路包括：施密特触发器、反相器和NMOS管，其中，所述施密特触发器的输入端连接到PMOS管的栅极，所述施密特触发器的输出端连接到反相器的输入端，所述反相器的输出端连接到所述NMOS管的栅极，所述NMOS管的源极接地，漏极连接到所述施密特触发器的输入端，其中，所述施密特触发器的正向阈值电压大于所述带隙电压基准电路正常工作后所述PMOS管的栅极电压。 | ||
| 搜索关键词： | 启动 电路 具有 电压 基准 | ||
【主权项】：
一种具有启动电路的带隙电压基准电路，所述带隙电压基准电路包括由运算放大器以及第一PMOS管和第二PMOS管构成的负反馈电路，所述负反馈电路对包括具有正温度系数和负温度系数特性的器件的两个支路的电压进行负反馈，其特征在于所述启动电路包括：施密特触发器、反相器和NMOS管，其中，所述施密特触发器的输入端连接到所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极，所述施密特触发器的输出端连接到反相器的输入端，所述反相器的输出端连接到所述NMOS管的栅极，所述NMOS管的源极接地，所述NMOS管的漏极连接到所述施密特触发器的输入端，其中，所述施密特触发器的正向阈值电压大于所述带隙电压基准电路正常工作后所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极电压。
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