[发明专利]氧化铝铜为主的存储器元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910150904.1 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101752002A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 简维志;陈逸舟;张国彬;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;H01L27/24;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化铝铜为主的存储器元件及其制造方法。存储器元件包括第一电极及第二电极。存储器元件更包括二极管及包括氧化铝及氧化铜的反熔丝金属氧化物存储器构件。二极管与金属氧化物存储器构件电串联排列在第一电极与第二电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铝 为主 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器元件，其特征在于，包括：一第一电极；一第二电极；一二极管；以及一反熔丝金属氧化物存储器构件，其包括氧化铝及氧化铜，其中该二极管与该金属氧化物存储器构件电串联排列在该第一电极与该第二电极之间。
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