[发明专利]具有OTP单元的半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括：深N型阱区，可以通过使用掩模对位于部分半导体衬底上方的预定图样执行离子注入工艺来形成该深N型阱区，其中，在该半导体衬底上形成有氧化膜；d阱区，可以通过使用掩模对位于部分N型阱区上方的预定图样执行离子注入工艺来形成该d阱区；浅N型阱区和漏极区，可以通过使用掩模对位于部分深N型阱区上方的预定图样执行离子注入工艺来分别形成该浅N型阱区和漏极区；源极区，可以通过使用掩模对位于部分d阱区上方的预定图样执行离子注入工艺来形成该源极区；接触孔，可以在部分半导体衬底上方形成金属间介电层之后，通过填充金属来形成接触孔，其中在上述半导体衬底上方形成有源极区；以及金属线，可以在部分接触孔上方形成金属线。

主权项

1.一种装置，包括：深N型阱区，所述深N型阱区形成在其上方形成有氧化膜的部分半导体衬底中；d阱区，所述d阱区形成在部分所述深N型阱区中；浅N型阱区，所述浅N型阱区形成在部分所述深N型阱区中；漏极区，所述漏极区形成在部分所述浅N型阱区中；源极区，所述源极区形成在部分所述d阱区中；接触孔，所述接触孔形成在部分金属间介电层中，所述金属间介电层形成在其上方形成有所述源极区的所述半导体衬底上方；以及金属线，所述金属线形成在部分所述接触孔上方。