[发明专利]配线电路基板用基材的制造方法无效
| 申请号： | 200910149526.5 | 申请日： | 2009-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101625979A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 徐竞雄;三宅康文 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供配线电路基板用基材的制造方法。在绝缘层的一面侧配置复合金属层和保护膜，在绝缘层的另一面侧配置复合金属层和保护膜。使它们在重合的状态下通过一对叠层辊之间。在此情况下，将叠层辊对复合金属层进行加热的加热温度调整在300℃以上360℃以下。将叠层辊对复合金属层进行加热的加热时间调整在0.1秒以上0.8秒以下。 | ||
| 搜索关键词： | 配线电 路基 基材 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种配线电路基板用基材的制造方法，其特征在于，包括：准备由支承体层和导体层构成的叠层体的工序；和通过使所述叠层体和绝缘层在重合的状态下通过一对加热辊之间，将所述叠层体的所述导体层热压接在所述绝缘层上的工序，在将所述叠层体的所述导体层热压接在所述绝缘层上的工序中，令所述加热辊对所述叠层体进行加热的加热温度在300℃以上360℃以下，并且令所述加热辊对所述叠层体进行加热的加热时间在0.1秒以上0.8秒以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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