[发明专利]用于制作薄膜太阳电池金属电极层的沉积装置有效
申请号: | 200910146403.6 | 申请日: | 2009-06-01 |
公开(公告)号: | CN101572280A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 马晓光;王鑫杰 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司;尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/00;C23C14/34 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄 威;张 彬 |
地址: | 214028江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于制作薄膜太阳电池金属电极层的沉积装置,包括一个腔体和在所述腔体内的用于制作所述金属电极层的沉积区域,还包括:第一传感器,用于检测是否有基片进入所述腔体中并发送第一电信号;第二传感器,用于检测是否有基片从所述腔体中离开并发送第二电信号;控制单元,用于接收所述第一电信号和第二电信号,并在接收到所述第一电信号后将所述沉积装置的电压从空闲状态电压切换为工作状态电压;或在接收到所述第二电信号后将所述沉积装置的电压从工作状态电压切换为空闲状态电压。本发明的优点在于不仅大大降低了电能及靶材的浪费,也减少了设备周期性维护的成本,从而节省了太阳电池的生产成本,同时,避免了频繁的手工操作。 | ||
搜索关键词: | 用于 制作 薄膜 太阳电池 金属电极 沉积 装置 | ||
【主权项】:
1、一种用于制作薄膜太阳电池金属电极层的沉积装置,包括一个腔体和在所述腔体内的用于制作所述金属电极层的沉积区域,其特征在于,还包括:第一传感器,设置于所述沉积装置的入口处,用于检测是否有基片进入所述沉积装置的腔体中,并当检测到有基片进入所述沉积装置的腔体中时,发送第一电信号;第二传感器,设置于所述沉积装置的出口处,用于检测是否有基片从所述沉积装置的腔体中离开,并当检测到有基片从所述沉积装置的腔体中离开时,发送第二电信号;控制单元,用于接收所述第一电信号及所述第二电信号,并在接收到所述第一电信号后将所述沉积装置的电压从空闲状态电压切换为工作状态电压,以在所述基片表面形成金属电极层;以及在接收到所述第二电信号且在预定时间内未接收到所述第一电信号时,将所述沉积装置的电压从工作状态电压切换为空闲状态电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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