[发明专利]ESD保护电路和半导体器件有效
| 申请号： | 200910146025.1 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101599491A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 高桥幸雄;吉田浩介 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082;H01L29/73;H01L29/06;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了ESD保护电路和半导体器件。静电放电保护电路具有双极晶体管，其包括：第一导电型的第一扩散层，该第一导电型的第一扩散层与第一电源相连接并且用作基极；第二导电型的第二扩散层，该第二导电型的第二扩散层与第二电源相连接并且用作集电极；以及第二导电型的第三扩散层，该第二导电型的第三扩散层与输入/输出焊盘相连接并且用作发射极。第三扩散层的与第一扩散层相对的第一区域的面积大于第二扩散层的与第一扩散层相对的第二区域的面积。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 电路 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种包括双极晶体管的静电放电保护电路，包括：第一导电型的第一扩散层，所述第一导电型的第一扩散层与第一电源相连接并且用作基极；第二导电型的第二扩散层，所述第二导电型的第二扩散层与第二电源相连接并且用作集电极；以及第二导电型的第三扩散层，所述第二导电型的第三扩散层与输入/输出焊盘相连接并且用作发射极，其中所述第三扩散层的与所述第一扩散层相对的第一区域的面积大于所述第二扩散层的与所述第一扩散层相对的第二区域的面积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910146025.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能低温热发电与光伏发电复合系统
- 下一篇：一种涡轮增压发动机的冷却系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
