[发明专利]具有内部电压发生电路的半导体集成电路无效
| 申请号： | 200910145634.5 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101593546A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 冈本利治 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G09G3/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有内部电压发生电路的半导体集成电路。半导体集成电路装置包括：RAM，即随机访问存储器；和内部电源电路(10)。RAM电路包括多个RAM电路块，即RAM1至RAMn。内部电源电路(10)将电压提供给从多个RAM电路块即RAM1至RAMn选择的选择RAM块，其中所述电压对应于选择RAM电路块的安排位置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 内部 电压 发生 电路 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，包括：RAM电路，所述RAM电路被构造为包括多个RAM电路块，其中RAM即随机访问存储器；和内部电源电路，所述内部电源电路被构造为将电压提供给从所述多个RAM电路块选择的选择RAM块，其中所述电压对应于所述选择RAM电路块的安排位置。
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