[发明专利]阵列基底及其制造方法有效
| 申请号： | 200910142726.8 | 申请日： | 2009-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101783353A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 禹和成;章珠宁;辛哲;严允成;宋美贞 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/528;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;马翠平 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阵列基底和一种制造所述阵列基底的方法。在阵列基底和制造所述阵列基底的方法中，阵列基底包括第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件和第四开关元件。第一开关元件电连接到第一数据线。第二开关元件电连接到与第一数据线相邻的第二数据线。第三开关元件电连接到设置在第一数据线和第二数据线之间的数据功率线。第四开关元件电连接到栅极功率线，该栅极功率线接收与施加到数据功率线的电压具有不同极性的电压。因此，提高了透光率、开口率和显示质量。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 基底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基底，包括：第一开关元件，电连接到第一数据线；第二开关元件，电连接到与所述第一数据线相邻的第二数据线；第三开关元件，电连接到设置在所述第一数据线和所述第二数据线之间的数据功率线；第四开关元件，电连接到栅极功率线，所述栅极功率线接收与施加到所述数据功率线的电压具有不同极性的电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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