[发明专利]存储器电路与存储器电路操作方法有效

专利信息
申请号: 200910141271.8 申请日: 2009-05-14
公开(公告)号: CN101582292A 公开(公告)日: 2009-11-18
发明(设计)人: 陶昌雄;蓝丽娇;陆崇基;苏布拉马尼·肯基瑞 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C11/40 分类号: G11C11/40;G11C11/413;G11C11/412
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 姜 燕;陈 晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种存储器电路与存储器电路操作方法,该电路包括一存储器阵列。存储器阵列包括多个存储器单元、多个第一位元线、以及多个协助写入闩锁器。存储器单元排列成多个行与多个列。各第一位元线耦接至存储器阵列的一列。各协助写入闩锁器耦接至第一位元线之一,用以增加所耦接的第一位元线之一的一电压。本发明可改善写入效能与可靠度。通过使用解码信号控制协助写入闩锁器的操作,可降低功率耗损,并提升写入速率。
搜索关键词: 存储器 电路 操作方法
【主权项】:
1.一种存储器电路,包括:一存储器阵列,包括:多个存储器单元,排列成多个行与多个列;多个第一位元线,各耦接至上述存储器阵列的一列;以及多个协助写入闩锁器,各耦接至上述第一位元线之一,其中各上述协助写入闩锁器用以增加所耦接的上述第一位元线之一的一电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910141271.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top