[发明专利]光电转换元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910141070.8 | 申请日： | 2009-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101894870A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 张佑嘉;陈春弟;朱仁佑;叶昱昕 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/042;H01L31/08;H01L31/0352;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光电转换元件及其制造方法。该光电转换元件包括基底层与有源层。有源层设置在基底层上。有源层的接收光面具有表面组织结构。表面组织结构包含重复的多个凹陷单元，每个该凹陷单元包含交叉的三个平面，在交叉处形成有凹尖点。此三个平面相互垂直或近似相互垂直。本发明采用角耦结构当作凹陷单元，可以增加对入射光产生三次以上反射的区域，能有效提升对入射光的吸收。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换元件，包括：基底层；以及有源层，设置在该基底层上，该有源层的接收光面具有表面组织结构，其中该表面组织结构包含重复的多个凹陷单元，每个该凹陷单元包含交叉的三个平面，在交叉处形成有凹尖点，该三个平面相互垂直或近似相互垂直。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院，未经财团法人工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910141070.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
