[发明专利]开窗型球栅阵列封装结构的基板及其制造方法有效
申请号: | 200910138993.8 | 申请日: | 2009-05-21 |
公开(公告)号: | CN101894761A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 黄志亿;郑宏祥;王建皓 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/12;H01L23/48 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种开窗型球栅阵列封装结构的基板及其制造方法,该基板包括芯层、第一导电层、第二导电层、至少一开窗及至少一穿导孔。该开窗包括第一贯穿孔及第三导电层,该第一贯穿孔贯穿该基板且具有第一侧壁,该第三导电层形成于该第一侧壁上且连接该第一导电层及该第二导电层。该穿导孔包括第二贯穿孔及第四导电层,该第二贯穿孔贯穿该基板且具有第二侧壁,该第四导电层形成于该第二侧壁上且连接该第一导电层及该第二导电层。由此,该基板可达到控制特性阻抗及增进信号完整性的功效。 | ||
搜索关键词: | 开窗 型球栅 阵列 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种开窗型球栅阵列封装结构的基板的制造方法,包括以下步骤:(a)提供基板,该基板具有芯层、第一导电层及第二导电层;(b)形成至少一第一贯穿孔及至少一第二贯穿孔,该第一贯穿孔及该第二贯穿孔贯穿该基板,且该第一贯穿孔具有第一侧壁,该第二贯穿孔具有第二侧壁;(c)形成第三导电层于该第一侧壁,且形成第四导电层于该第二侧壁;(d)图案化该第一导电层以形成第一线路;(e)覆盖防焊层于该第一导电层及该第二导电层;(f)图案化该防焊层以形成开口图案,该开口图案显露部分该第一线路;及(g)形成多个导电指于该开口图案内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造