[发明专利]半导体器件的制造方法和蚀刻设备有效
| 申请号： | 200910137922.6 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101582376A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 小室雅宏 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法和蚀刻设备。为了在去除在其上形成的硬掩模的过程中抑制将被蚀刻的层的周边部分被粗糙化，本发明的蚀刻设备具有处理室、电极、工作台和遮挡环，其中，处理室允许蚀刻气体被引入其中；电极布置在处理室中，并用于通过将蚀刻气体离化来产生等离子体；工作台布置在处理室中，在该工作台上放置衬底；遮挡环在其内周边缘具有不规则图案，并且被布置在处理室中且被放置在工作台(30)的上方，从而以非接触的方式覆盖衬底的周边部分和与周边部分相邻的内部区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 蚀刻 设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：在除了外周部分之外的区域上方的将被蚀刻的层上，形成具有开口图案的硬掩模；通过干蚀刻，在所述将被蚀刻的层中形成与所述开口图案一致的沟槽或孔，同时用遮挡环以非接触的方式覆盖所述硬掩模的与所述周边部分相邻的区域以及所述周边部分；以及通过蚀刻去除所述硬掩模，其中，所述遮挡环在其内周边缘上具有不规则图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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