[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910134884.9 | 申请日： | 2006-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101577293A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 秋元健吾 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/49;H01L21/336;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，即使使用ZnO半导体膜，并且对于源电极和漏电极使用其中添加n型或p型杂质的ZnO膜也不会产生缺陷或故障。该半导体器件包含：通过使用氧化硅膜或氧氮化硅膜在栅电极之上形成的栅绝缘膜、在栅绝缘膜之上的Al膜或Al合金膜、在Al膜或Al合金膜之上的其中添加n型或p型杂质的ZnO膜、以及在其中添加n型或p型杂质的ZnO膜和栅绝缘膜之上的ZnO半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在衬底之上的包含氧化锌的半导体膜；与所述半导体膜接触的包含氧化物的导电膜；与所述导电膜接触的金属膜；和邻近所述半导体膜的栅电极，栅绝缘膜介于所述栅电极和所述半导体膜之间，其中所述导电膜在所述半导体膜和所述金属膜之间。
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