[发明专利]光电转换器件、其设计和制造方法以及成像系统有效
申请号: | 200910132982.9 | 申请日: | 2009-04-03 |
公开(公告)号: | CN101552279A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 下津佐峰生 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L27/146;H04N5/225;G06F17/50;H01L21/82;H01L21/762;H01L21/31 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开一种光电转换器件、其设计和制造方法以及成像系统。光电转换器件包括:多个光电转换单元;包含具有第一折射率的第一绝缘膜和具有第二折射率的第二绝缘膜的第一抗反射部分;以及包含元件隔离部分和第三绝缘膜的第二抗反射部分,所述元件隔离部分包含具有第三折射率的绝缘体,所述第三绝缘膜具有所述第二折射率,其中,第一抗反射部分减少光电转换单元中的进入光电转换单元的光的反射,并且,第二抗反射部分减少元件隔离部分中的进入元件隔离部分的光的反射。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 器件 设计 制造 方法 以及 成像 系统 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换器件,包括:被布置在半导体衬底中的多个光电转换单元;包含第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一抗反射部分,所述第一绝缘膜被布置在光电转换单元上并具有第一折射率,所述第二绝缘膜被布置在第一绝缘膜上并具有第二折射率;以及包含元件隔离部分和第三绝缘膜的第二抗反射部分,所述元件隔离部分被布置在所述半导体衬底中、使所述多个光电转换单元电隔离、并包含具有第三折射率的绝缘体,所述第三绝缘膜比第二绝缘膜厚、被布置在所述元件隔离部分上、并具有第二折射率,其中,第一抗反射部分减少所述光电转换单元中的进入所述光电转换单元的光的反射,以及第二抗反射部分减少所述元件隔离部分中的进入所述元件隔离部分的光的反射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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