[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 200910131525.8 | 申请日： | 2009-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101859827A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 黄国钦;朱胤丞;潘锡明;郑惟纲 | 申请（专利权）人： | 裕星企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 中国香港特别行政区湾仔*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管，包括：一第一半导体层，包含一第一区域及一第二区域；一发光层，设于所述第一半导体层的第一区域；一第二半导体层，设于所述发光层；一第一电极，设于所述第一半导体层的第二区域；一第二电极，设于所述第二半导体层；以及一基板，利用一第一金属凸块及一第二金属凸块分别与所述第一电极及第二电极接合，并具有复数凸状结构，于所述基板形成复数沟渠。本发明能够使支撑层容易附着于基板上。本发明的发光二极管还可利用支撑层支撑，以减少发光二极管所产生的应力问题。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包括：一第一半导体层，包含一第一区域及一第二区域；一发光层，设于所述第一半导体层的第一区域；一第二半导体层，设于所述发光层；一第一电极，设于所述第一半导体层的第二区域；一第二电极，设于所述第二半导体层；以及一基板，利用一第一金属凸块及一第二金属凸块分别与所述第一电极及第二电极接合，并具有复数凸状结构，于所述基板形成复数沟渠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于裕星企业有限公司，未经裕星企业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910131525.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含氰基高介电常数有机硅电解质材料
- 下一篇：组资源分配的处理方法
