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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种发光二极管结构-CN201410262478.1无效
发明人：朱胤丞;潘锡明;简奉任 -专利权人： 裕星企业有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种具焊垫反射层的发光二极管结构，其包含一基板、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层、一第一焊垫反射层、一第二焊垫反射层、一第一电极与一第二电极。当一偏压电压提供至发光二极管的第一电极与第二电极，且偏压电压为工作电压时，将使发光层发出光线，其中发光层发射至电极的光线将由第一焊垫反射层与第二焊垫反射层反射，以避免第一电极与第二电极吸收到发光层所发出的光线，如此更进一步提升发光二极管的发光效能。
一种发光二极管结构

[发明专利]具焊垫反射层的发光二极管结构-CN200910131544.0有效
发明人：朱胤丞;潘锡明;简奉任 -专利权人： 裕星企业有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具焊垫反射层的发光二极管结构，其包含一基板、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层、一第一焊垫反射层、一第二焊垫反射层、一第三电极与一第四电极。当一偏压电压提供至发光二极管的第三电极与第四电极，且偏压电压为工作电压时，将使发光层发出光线，其中发光层发射至电极的光线将由第一焊垫反射层与第二焊垫反射层反射，以避免第三电极与第四电极吸收到发光层所发出的光线，如此更进一步提升发光二极管的发光效能。
具焊垫反射层发光二极管结构

[发明专利]堆栈发光二极管芯片结构及其制造方法-CN200910131540.2有效
发明人：黄国钦;冯辉庆;潘锡明;潘宏立;朱胤丞 -专利权人： 裕星企业有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆栈发光二极管芯片结构，包括：一基板，两个半导体外延层相间隔设置于该基板上；一覆晶式发光二极管芯片，设置于所述两个半导体外延层之间，且与该两个半导体外延层电连接。本发明还公开了所述堆栈发光二极管芯片结构的制造方法，提供一基板；将两个半导体外延层相分隔设置于所述基板上；及设置一覆晶式发光二极管芯片于所述两个半导体外延层之上，且使该覆晶式发光二极管芯片与所述两个半导体外延层电连接。本发明能提高固定面积下的发光面积。
堆栈发光二极管芯片结构及其制造方法

[发明专利]发光二极管-CN200910131525.8无效
发明人：黄国钦;朱胤丞;潘锡明;郑惟纲 -专利权人： 裕星企业有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包括：一第一半导体层，包含一第一区域及一第二区域；一发光层，设于所述第一半导体层的第一区域；一第二半导体层，设于所述发光层；一第一电极，设于所述第一半导体层的第二区域；一第二电极，设于所述第二半导体层；以及一基板，利用一第一金属凸块及一第二金属凸块分别与所述第一电极及第二电极接合，并具有复数凸状结构，于所述基板形成复数沟渠。本发明能够使支撑层容易附着于基板上。本发明的发光二极管还可利用支撑层支撑，以减少发光二极管所产生的应力问题。
发光二极管

[发明专利]具有抗突波与静电的发光二极管及其制造方法-CN200910131532.8无效
发明人：黄国钦;潘锡明;简奉任 -专利权人： 裕星企业有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有抗突波与静电的发光二极管及其制造方法，其结构包含一个基板、一个N型半导体层、一个P型半导体层、一个主动层、一个第一透明导电层、一个氧化层、一个绝缘层、一个第二透明导电层、一个正电极与一个负电极。其中正电极经第一透明导电层、P型半导体层、主动层与N型半导体层至负电极形成一个第一路径供一个电压通过，以及负电极经氧化层与第二透明导电层至正电极形成一个第二路径供一个电流通过，当偏压电压超过发光二极管的操作电压时，将使突波电流从负电极经第二路径传导至正电极或从正电极经第二路径传导至负电极，以提供二极管具有更好的抗突波与静电的功能。
具有抗突波静电发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管结构及其制造方法-CN200910131550.6无效
发明人：简奉任;陈隆建 -专利权人： 裕星企业有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管结构，至少包括：一基板、一混合层、一第一导电类型半导体层，以及一第二导电类型半导体层。其中，混合层至少具有一粗化层用以扩散射入的光线，而粗化层是一层氮化硅材料或具有AlInGaN量子点的薄膜。本发明的发光二极管结构能有效地增加发光效率。此外，本发明还提供一种发光二极管的制造方法，其是在发光二极管组件的外延过程中生长至少具有一粗化层的混合层，以使得混合层具有使光线散射的功用。
发光二极管结构及其制造方法

[发明专利]发光二极管结构及其制造方法-CN200910131538.5无效
发明人：简奉任;陈隆建 -专利权人： 裕星企业有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管结构，其至少包括：一基板、一网格层、一第一导电类型半导体层，以及一第二导电类型半导体层。其中，网格层具有一网格图案，可使得朝发光二极管组件内部放射的光线能够反射回去而朝外界方向行进，因而不会使所有光线一直在发光二极管组件内部行进，以至于被内部各层所吸收。本发明的发光二极管结构能有效的增加发光二极管的发光效率。此外，本发明亦公开了一种发光二极管的制造方法，其是在发光二极管组件的外延过程中生长一网格层，而完成本发明的发光二极管结构。
发光二极管结构及其制造方法

[发明专利]发光二极管的制造方法-CN200910131526.2无效
发明人：朱胤丞;潘锡明;黄国钦;简奉任 -专利权人： 裕星企业有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的制造方法，包含以下步骤，取一基板，依序形成一光子晶体结构及一外延结构于所述基板上，然后于所述外延结构的表面进行表面粗化。本发明的发光二极管的制造方法，增加光子晶体结构于发光二极管中，增加发光二极管的厚度，减少进行黏晶制程所产生的应力问题，且于发光二极管表面进行表面粗化，进而使发光二极管增加侧向光的输出。
发光二极管制造方法

[发明专利]发光二极管及其封装结构-CN200910131537.0无效
发明人：贺志平;武良文;蔡亚萍;简奉任 -专利权人： 裕星企业有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包括基材、图案化半导体层、二个接触垫、介电层以及荧光薄膜。其中，图案化半导体层设置于基材上，且适于发出第一光线，而接触垫设置于图案化半导体层上。介电层覆盖图案化半导体层，且暴露出部分接触垫。此外，荧光薄膜设置于介电层上，荧光薄膜适于经由第一光线的照射而发出与第一光线不同波长的第二光线。本发明由于荧光薄膜内的荧光材料的分布较为均匀，使得图案化半导体层所发出的第一光线与荧光薄膜所发出的第二光线混合后的颜色较容易掌握，因此可提高产品质量的稳定度，增加生产合格率。另外，本发明还公开了一种具有上述发光二极管的封装结构。
发光二极管及其封装结构

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