[发明专利]等离子体处理方法

摘要

本发明提供等离子体处理方法。其通过简便且有效的抗蚀剂改性法能够强化抗蚀剂的耐蚀刻性，提高薄膜加工的精度、稳定性。在腔室(10)内从上部电极(喷淋头)(60)喷出的处理气体在两电极(12、60)之间通过高频放电离解、电离而生成等离子体。在此，由可变直流电源(80)将直流电压(V_DC)以负极性的高压施加在上部电极(60)上。这样，通过放电从电极板(62)释放出的2次电子e^-在上部离子鞘(SH_U)的电场中在与离子相反的方向上被加速并穿过等离子体(PR)，进一步横穿下部离子鞘(SH_L)，以规定的高能被打入基座(12)上的半导体晶片(W)表面的抗蚀剂图案(100)。

主权项

1.一种等离子体处理方法，是在能够成为真空的处理容器内使第一电极和第二电极隔开规定的间隔平行地配置，与所述第一电极相对置地用第二电极支承被处理基板，将所述处理容器内真空排气至规定的压力，向所述第一电极和所述第二电极之间的处理空间供给包含蚀刻气体的第一处理气体，向所述第一电极或第二电极施加第一高频从而在所述处理空间生成所述第一处理气体的等离子体，基于所述等离子体，以在被加工膜上形成的抗蚀剂图案为掩模对所述基板上的所述被加工膜进行蚀刻的等离子体处理方法，其特征在于：作为在所述处理容器内在所述被加工膜的蚀刻处理之前对所述基板进行的抗蚀剂改性处理，包括：将所述处理容器内真空排气至规定的压力的工序；向所述第一电极与所述第二电极之间的处理空间供给第二处理气体的工序；对所述第一电极或所述第二电极施加所述第一高频从而在所述处理空间生成所述第二处理气体的等离子体的工序；和对在所述处理容器内离开所述基板的位置暴露在等离子体中的规定的DC施加部件施加负极性的直流电压，将从所述DC施加部件释放出的电子打入所述基板上的抗蚀剂图案，使得提高所述抗蚀剂图案的耐蚀刻性的工序。