[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法及有机发光二极管显示装置有效
| 申请号： | 200910127094.8 | 申请日： | 2009-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101546782A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 朴炳建;徐晋旭;梁泰勋;李吉远;李东炫 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 康 泉;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 薄膜晶体管、其制造方法及有机发光二极管显示装置。该薄膜晶体管包括：基板；布置在所述基板上的半导体层，包括沟道区、源极区、漏极区和基体接触区；布置在所述半导体层上从而使所述第一基体接触区暴露的栅极绝缘层；布置在所述栅极绝缘层上从而接触所述第一基体接触区的栅电极；布置在所述栅电极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并且被电连接至所述源极区和所述漏极区的源电极和漏电极。所述基体接触区被形成在所述半导体层的边缘中。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 有机 发光二极管 显示装置 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括：基板；布置在所述基板上的半导体层，包括沟道区、源极区、漏极区和形成在所述半导体层的第一边缘中的第一基体接触区；布置在所述半导体层上使所述第一基体接触区暴露的栅极绝缘层；布置在所述栅极绝缘层上从而接触所述第一基体接触区的栅电极；布置在所述栅电极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并且分别被电连接至所述源极区和所述漏极区的源电极和漏电极。
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