[发明专利]等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法有效
| 申请号： | 200910127092.9 | 申请日： | 2009-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101546685A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 本田昌伸;增泽健二;中山博之;岩田学;佐藤学;成重和树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H05H1/46;H01L21/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，使得能够容易且自由地控制被处理基板上的电子密度或者工艺特性的分布特性。该电容耦合型等离子体处理装置在径方向上将上部电极分割成内侧上部电极(60)和外侧上部电极(62)这两个，从2个可变直流电源(80、82)将独立的第一和第二直流电压(VC、VE)同时施加在两个上部电极(60、62)上。通过适当选择这两个直流电压(VC、VE)的组合，能够在各种应用中提高等离子体工艺、蚀刻特性的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：能够真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置被处理基板的下部电极；在所述处理容器内与所述下部电极正对地配置的内侧上部电极；在所述处理容器内与所述内侧上部电极电绝缘，并且在其半径方向外侧配置为环状的外侧上部电极；向所述内侧和外侧上部电极与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体的处理气体供给部；将用于通过高频放电生成所述处理气体的等离子体的第一高频施加在所述下部电极或者所述内侧和外侧上部电极上的第一高频供电部；在所述内侧上部电极上施加可变的第一直流电压的第一直流供电部；以及在所述外侧上部电极上施加可变的第二直流电压的第二直流供电部。
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