[发明专利]一种硅片蚀刻液及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910115848.8 申请日: 2009-08-27
公开(公告)号: CN101649457A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 周明雄;丁裕强 申请(专利权)人: 吴江市曙光化工有限公司
主分类号: C23F1/32 分类号: C23F1/32
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 代理人: 孙仿卫
地址: 215225江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种硅片蚀刻液及其制备方法,该蚀刻液由如下组分组成:a)碱金属的氢氧化物;b)碱金属的偏硅酸盐;c)碱金属的烯二酸盐;d)金属羰基化合物;e)水,其中,组分a)、b)、c)、d)的摩尔比为1.2~4∶1∶0.1~1∶0.2~1,组分e)占所述硅片蚀刻液总重量的25%~55%。所述方法包括如下步骤:首先在反应容器中,将化合物a)与二氧化硅按摩尔比2~2.2∶1混合,并使它们在水溶剂中,于温度50℃~120℃下反应生成所述的化合物b);然后分别将化合物c)、化合物d)加入到反应容器中,于温度100℃~150℃下保温搅拌至少2小时。本发明能够提高硅片表面蚀刻质量,降低蚀刻生产成本,减少污染环境。
搜索关键词: 一种 硅片 蚀刻 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种硅片蚀刻液,其特征在于:其由如下组分组成:a)碱金属的氢氧化物;b)碱金属的偏硅酸盐;c)碱金属的烯二酸盐;d)金属羰基化合物;e)水,其中,组分a)、b)、c)、d)的摩尔比为1.2~4∶1∶0.1~1∶0.2~1,组分e)占所述硅片蚀刻液总重量的25%~55%。
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